화웨이가 오는 2031년까지 세계 최첨단 수준의 반도체를 자체 기술로 개발하겠다는 목표를 공식화했다. 외신에 따르면 화웨이는 최근 상하이에서 열린 반도체 심포지엄에서 “1.4nm급 수준의 트랜지스터 밀도를 구현할 수 있는 새로운 기술 경로를 확보했다”고 밝혔다.

현재 TSMC와 삼성전자 등 글로벌 선두 업체들은 2028년 전후 1.4nm 공정 양산을 목표로 하고 있다. 화웨이는 미국의 제재로 첨단 EUV 노광장비 접근이 제한된 상황에서도 새로운 설계 구조를 통해 비슷한 수준의 반도체 성능을 구현할 수 있다고 주장했다.

핵심은 화웨이가 새롭게 제안한 ‘타우 스케일링 법칙’과 ‘로직폴딩’ 구조다. 기존 반도체 산업이 무어의 법칙 기반으로 트랜지스터를 계속 미세화하는 방식에 의존했다면, 화웨이는 데이터 이동 거리 단축과 회로 적층 구조 최적화를 통해 성능을 끌어올리는 접근을 선택했다. 업계에서는 이를 포스트 무어 시대 전략으로 해석하고 있다.

특히 화웨이는 지난 6년 동안 해당 구조 기반으로 이미 381개의 칩을 설계·양산했다고 밝혔다. 새 로직폴딩 구조는 올해 하반기 공개 예정인 차세대 기린 스마트폰 칩에 처음 적용되며, 이후 어샌드 AI 칩과 데이터센터용 AI 클러스터에도 확대 적용될 계획이다.

이번 발표는 미국의 대중국 반도체 제재 속에서 나온 만큼 더욱 주목받고 있다. 화웨이는 2019년 미국의 블랙리스트 지정 이후 퀄컴 칩과 첨단 반도체 장비 접근이 크게 제한됐지만, 최근 SMIC와 협력한 7nm 기린 칩을 통해 스마트폰 시장 복귀에 성공한 바 있다.

다만 업계에서는 실제 상용화 가능성에 대해 신중한 시각도 존재한다. 첨단 공정은 단순 성능 구현뿐 아니라 발열 제어와 수율 확보, 대량 생산 안정성이 핵심인데, EUV 없이 이를 구현하기는 쉽지 않다는 지적이다. 그럼에도 중국 반도체 업계가 미국 제재 이후 예상보다 빠르게 기술 자립을 추진하고 있다는 점에서, 화웨이의 이번 발표는 글로벌 반도체 경쟁 구도에도 적지 않은 영향을 줄 가능성이 제기된다.

김성수 기자 press@appstory.co.kr